EDS測試

性能指標：1、高電壓分辨率≤0.6nm @ 15kV（二次電子）； 2、低電壓分辨率≤1.0nm @ 1kV（二次電子）； 3、在束重合點分辨率：≤0.6nm @ 15kV；≤2.5nm @ 1kV，邊加工邊觀察的分辨率 4、背散射電子分辨率（BSE）： ≤2nm @ 30kV； 5、 加速電壓：0.5-30kV 6、電子著陸能量范圍：20eV–30keV； 7、電子束束流：0.8pA-100nA，1pA以下可以成像觀察 8、 離子束電壓：0.5-30kV 9、 Ga離子束分辨率≤2.5nm @ 30kV 10、Ga離子束流強度：0.1pA–65nA。 11、 離子束視場≥0.9mm @8kV或≥1mm @30kV 12、冷凍臺 溫度范圍：-190℃至+5℃ 13、 原位加熱臺最高溫度≥1200℃，升溫時間≤100ms

樣品要求：1、樣品應是干燥樣品。 2、樣品在真空中應保持穩定。 3、粉末樣品如果不是特別細，應用碳導電膠粘在臺上。 4、導電性不好的粉末應予以噴金處理